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士兰微，即杭州士兰微电子股份有限公司，作为中国半导体行业中的一颗璀璨明珠，自成立以来便致力于为全球客户提供高质量的微电子设计与制造服务。公司地处素有天堂之称的杭州，地理位置优越，交通便利，为企业的快速发展提供了良好的外部环境。
自1997年9月成立以来，士兰微经历了从无到有、从小到大的过程。2000年，公司整体改制，变更为杭州士兰微电子股份有限公司，并设立了深圳市深兰微电子有限公司，标志着公司业务版图的初步扩展。此后，随着公司实力的不断增强，2001年，其设立了杭州士兰集成电路有限公司，正式进入硅芯片制造领域，从而实现了从芯片设计到制造的一体化发展。公司的股票于2003年3月在上海证券交易所挂牌交易，从此踏上了高速发展的快车道。
士兰微以其丰富的产品线在市场中占据一席之地。公司的主要产品包括集成电路、分立器件和LED产品三大类，其中，集成电路方面涵盖了IPM模块、AC-DC电路、32位MCU电路及快充电路等众多产品，分立器件类包括开关二极管、稳压管、肖特基管、MOS功率晶体管等，在LED领域，士兰微同样能够根据市场变化，推出夹杂着创新元素的新产品。这些产品凭借着卓越的性能和稳定的质量，广泛应用于消费电子、白电、通讯、工业、新能源以及汽车等多个领域，满足了客户多样化的需求。
士兰微在技术创新领域具有得天独厚的优势与实力。作为专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，士兰微不仅拥有强大的设计研发能力，还有着基于自身制造平台的制造工艺优化能力。这使得士兰微能够为客户提供更加精准、高效、可靠的定制化服务。同时，公司始终保持着对产品研发投入的高度关注。2024年上半年，公司的研发费用高达4.87亿元，同比增长了34%，研发投入占营收的比例在业内亦名列前茅。为了保持技术的领先地位，士兰微还在上海和美国等地设立了研发中心，能够及时跟踪国际先进技术趋势，不断对自身技术进行迭代与创新。
士兰微确实拥有着国内半导体行业顶尖的技术水平和研发实力。例如在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、SiC MOSFET（碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件领域，士兰微的技术处于国内领先水平。其中，IGBT产品已经实现了多代技术升级，能够满足不同应用场景的需求；同时，在SiC器件方面，士兰微完成了第Ⅲ代平面栅SiC MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。
士兰微的全产业链一体化模式，是其能够在激烈的市场竞争中脱颖而出的关键在于这种模式实现了设计与制造环节的协同优化，提高了产品的性能和良率，并加快了新产品推向市场的速度。例如，在功率半导体产品的研发过程中，设计团队与制造团队紧密合作，根据制造工艺的特点对设计进行优化，从而确保了产品的性能和质量。此外，全产业链一体化模式还有助于士兰微对成本和质量进行更有效的控制。公司可以自主掌控芯片生产的各个环节，减少对外部供应商的依赖，从而有效降低采购成本并规避供应链风险。在质量控制方面，士兰微从原材料采购、芯片制造到产品封装就能够实现全程监控，确保产品质量的稳定性和可靠性。此外，这种模式还有助于加快产品研发和生产的速度。设计与制造团队的紧密合作促进了信息流和物流的顺畅传递，提高了工作效率和灵活性，能够更快地将新产品推向市场。
士兰微不仅注重技术研发，市场应用方面的拓展也同样不容忽视。随着新能源汽车、大型白电等领域的快速发展，士兰微的产品在市场上也赢得了广泛的认可。例如，公司的IPM模块在国内多家主流白电整机厂的变频空调等整机上得到了广泛应用。同时，士兰微在新能源汽车市场也取得了重要突破。公司的功率器件和传感器等产品凭借其优秀的性能和可靠的质量，得到了越来越多新能源汽车制造商的青睐。
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